1. FQD2N90TM
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厂商型号

FQD2N90TM 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

内部编号

3-FQD2N90TM

#1

数量:3003
1+¥8.6839
10+¥6.9745
100+¥5.3813
500+¥4.7522
1000+¥3.7539
2500+¥3.3163
5000+¥3.2547
10000+¥3.1932
25000+¥2.9539
最小起订量:1
美国加州
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#2

数量:48623
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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FQD2N90TM产品详细规格

规格书 FQD2N90TM datasheet 规格书
FQD2N90TM datasheet 规格书
D-PAK Tape and Reel Data
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 900V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 1.7A
Rds(最大)@ ID,VGS 7.2 Ohm @ 850mA, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 15nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 500pF @ 25V
功率 - 最大 2.5W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装 D-Pak
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3DPAK
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 900 V
最大连续漏极电流 1.7 A
RDS -于 7200@10V mOhm
最大门源电压 ±30 V
典型导通延迟时间 15 ns
典型上升时间 35 ns
典型关闭延迟时间 20 ns
典型下降时间 30 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±30
包装宽度 6.1
PCB 2
最大功率耗散 2500
最大漏源电压 900
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 7200@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 DPAK
标准包装名称 DPAK
最高工作温度 150
渠道类型 N
包装长度 6.6
引脚数 3
包装高度 2.3
最大连续漏极电流 1.7
封装 Tape and Reel
标签 Tab
铅形状 Gull-wing
FET特点 Standard
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 1.7A
的Vgs(th ) (最大)@ Id 5V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 900V
供应商设备封装 D-Pak
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 7.2 Ohm @ 850mA, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 2.5W
输入电容(Ciss ) @ VDS 500pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 15nC @ 10V
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 FQD2N90TMCT
工厂包装数量 2500
晶体管极性 N-Channel
连续漏极电流 1.7 A
封装/外壳 TO-252
下降时间 30 ns
产品种类 MOSFET
单位重量 0.009184 oz
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
正向跨导 - 闵 1.7 S
RoHS RoHS Compliant
源极击穿电压 +/- 30 V
系列 FQD2N90
RDS(ON) 7.2 Ohms
安装风格 SMD/SMT
功率耗散 2.5 W
最低工作温度 - 55 C
上升时间 35 ns
漏源击穿电压 900 V
栅源电压(最大值) �30 V
漏源导通电阻 7.2 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 DPAK
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏源导通电压 900 V
弧度硬化 No
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 1.7A (Tc)
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 900 V
Vgs - Gate-Source Voltage 30 V
品牌 Fairchild Semiconductor
通道数 1 Channel
晶体管类型 1 N-Channel
Id - Continuous Drain Current 1.7 A
长度 6.73 mm
Rds On - Drain-Source Resistance 7.2 Ohms
身高 2.39 mm
Pd - Power Dissipation 2.5 W
技术 Si

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